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V DSS
I D25
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA2N80P
IXTP2N80P
IXTU2N80P
IXTY2N80P
= 800 V
= 2 A
R DS(on) ≤ 6 Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
800
V
800
V
± 30
V
± 40
V
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
2
4
2
10
100
5
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
G
D S
TO-251 (IXTU)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 30 Ω
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
70
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G
D
S
(TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
TO-252 (IXTY)
G
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-263
(TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
3 g
2.5 g
S
(TAB)
TO-252
0.35 g
TO-251
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
0.4 g
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 50 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 125 ° C
3.0
5.0
5.5
± 100
5
50
6.0
V
nA
μ A
μ A
Ω
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99595E(10/06)
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IXTU55N075T 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTU5N50P 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTV02N250S 功能描述:MOSFET N-Chan Pwr Mosfet 2500V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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